EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
LK-HHPD kiire InGaAs fotodetektor
- Lai ribalaius, suur kiirus
- Kõrge reageerimisvõime
- Sisaldatud Bias-T
- Kõrge küllastusega sisend
- Hermeetiliselt suletud, SMA pistik
- Madal tume vool, kõrge signaali-müra suhe.
- Väike vormitegur.
Tootekirjeldus
LK-HHPD on digitaal- ja analoograkenduste jaoks sobiv kiire detektormoodul, millel on InGaAs PIN-fotodiood, mis katab lainepikkusi 1250 kuni 1650 nm. See pakub 12 GHz või 18 GHz ribalaiust ja töötab +5 V toitega. Moodul ühildub standardse ühemoodilise 9/125 μm kiuga ja sellel on SMA-pistik raadiosagedusväljundi jaoks 50-oomise impedantsi sobitusega.
LK-HHPD sobib suure andmeedastuskiirusega rakenduste jaoks ning on hermeetiliselt suletud, et kaitsta seda keskkonnategurite eest, tagades töökindluse ja pikaealisuse. Sellel on kerge disain, massiga alla 23 grammi, mis on kasulik kaasaskantavate või ruumipiirangutega rakenduste jaoks. Moodul on sertifitseeritud vastavalt ohtlike ainete piiramise direktiivile (RoHS) 2.0, mis näitab vastavust keskkonna- ja ohutusstandarditele.
Tehnilised kirjeldused
| Tüüpiline ja absoluutne maksimaalne hinnang | ||||
|---|---|---|---|---|
| Parameeter | Sym. | Typ | Hinnang | Üksus |
| Säilitustemperatuuri vahemik | TSTG | -45 kuni +85 | -55 kuni +100 | ℃ |
| Töökorpuse temperatuurivahemik | TC | 25 | -40 kuni +85 | ℃ |
| Eelpinge | VR | 5 | +4.75 - +5.25 | V |
| Optiline sisendvõimsus | Pin | 0 | + 13 | dBm |
| Läbipõlenud optiline võimsus | PB | - | + 16 | dBm |
| Plii jootmise temperatuur | Tp | 280 (10 s) | 330 (10 s) | ℃ |
| Elektrilised/optilised omadused (TC = 22 ± 3 ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Parameeter | SYM | Testi seisund | Parameetri väärtused | Üksus | ||
| Lainepikkuse vahemik | λ | - | 1000–1650 | nm | ||
| Sagedusvahemik | - | - | X – bänd | Ku - bänd | - | |
| Väike signaali ribalaius | f-3dB | TC = 22 ± 3 ℃ | 0.3–12 | 0.8–18 | GHz | |
| Reageerimisvõime | Re | VR =+5 V, Pin = 10 mW | λ = 1310 nm | ≥ 0.75 | ≥ 0.75 | A / W |
| λ = 1550 nm | ≥ 0.7 | ≥ 0.7 | ||||
| Väljund VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | ≤ 2.2 | - | |
| Amplituudi lamedus | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ±1.5 | dB | ||
| Küllastus optiline võimsus | Ps | VR =+5 V, λ = 1550 nm AC moduleeritud |
13 | dBm | ||
| Küllastus RF väljundvõimsus | Pvälja | - | -10 | dBm | ||
| Tume vool | Id | VR = 5 V | ≤ 10 | nA | ||
| väljundtakistus | RL | - | 50 | Ω | ||
● Tüüpilised reageerimiskõverad
(Joonis 1 X – riba fotodetektori sagedusreaktsioon)
(Joonis 2 Ku – riba fotodetektori sagedusreaktsioon)
● Mõõtmed ja tihvtid (ühik: toll)
RF-pistik: SMA-pistik
●Tellimisinfo
Leht 1:
| kood | Analoog ribalaius |
| X | 0.3 ～ 12 GHz |
| Ku | 0.8–18 GHz |
Leht 2:
| kood | Connector Type | Märkus |
| N | Ühendust pole | Ühemoodiline 9 / 125 μm kiust pats |
| A | FC / APC |
● Ettevaatusabinõud
Kiu painderaadius on vähemalt 20 mm, et vältida kiudude kahjustamist.
Enne optoahelaga ühendamist veenduge, et kiudühenduse tahk on puhas.
Sobiv ESD kaitse on vajalik ladustamisel, transportimisel ja kasutamisel.
Kõiki meie standardseid fotodetektoreid saab kohandada mooduliteks!
Rakendused
Kiudoptiline side
Radari teabe töötlemine
Elektrooniline sõjapidamine
Kiire signaali testimine ja mõõtmine
Turvalisus ja järelevalve
